外延硅片的生成用炭素制品

外延硅片的生成用炭素制品
   近年来生产单晶硅也趋向大型化，开始拉伸直径12in的单晶硅。运用的热区规模多在32in左右运用的炭素制品为与石英坩埚相匹配、石墨坩埚外径约为φ860mm、加热器约为1000m，其他部件最大的为直径1500mm跟着大型化，作为替代石墨坯料的C/C复合资料的运用渐渐扩大，一起为了提高炉内的纯度，运用SiC涂层部件的倾向也在添加。图2-7所示为C/C复合资料坩埚的比如。因为CZ单晶炉内很多运用炭素制品，并且炭素制品的质量直接影响到单晶硅的质量，特别是液面以上的部件最好运用超高纯产品。
    把单晶硅棒切成硅片进行抛光处理后就成为抛光片。制作半导体器材时运用下列3种硅片:（1）抛光片；（2）在抛光片外表生成单晶硅的外延片；（3）在绝缘体上生成单晶硅层的OI（ Silicon On Insula-tor）硅片。炭素制品在外延片制作时运用。其方式为在石英容器内通入硅烷系列的气体、减压下加热到1000℃，在抛光片上以CVD法在片基板上形成有与单晶硅片相同结晶方位薄膜的方法，此刻所用的工装基盘资料是用VD法生成SiC涂层的高纯各向同性石墨。这样做的理由是石墨具有自身高温强度高、热传导性良好、加工性能好的特性，在此基础上通过SiC涂层处理提高其外表纯度可以大幅度降低石墨的气体发生量和发尘量。根据不同的设备，石墨基座的形状分为水平式、圆盘式和立柱式3种。石墨基座的形状和外延炉的结构如图所示最近，因为硅片的大直径化，又开发了对每片硅片进行单独处理的片叶式外延设备，其基座也运用SiC涂层的高纯石墨。